大功率半導體測試設備功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
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人氣：63 發(fā)布時間：2025-07-30 15:29 關鍵詞：大功率半導體測試 功率器件測試 靜態(tài)參數(shù)測試 產(chǎn)品型號：PMST3520 應用領域：電磁輻射 產(chǎn)品價格：1000 想了解更多產(chǎn)品詳情，請 |
系統(tǒng)特點
高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（蕞大擴展至12kV）；
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試；
模塊化設計：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級測量單元；
測試效率高：可自動切換、一鍵測試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測試；
兼容多種封裝：根據(jù)測試需求可定制夾具；
測試項目
二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線
三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，是普賽斯儀表經(jīng)過精心設計與打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅具備IV、CV、跨導等多元化的測試功能，還擁有高精度、寬測量范圍、模塊化設計以及便捷的升級擴展等顯著優(yōu)勢。它能夠全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求，確保測量效率、一致性與可靠性的卓越表現(xiàn)。
此外，普賽斯儀表功率半導體靜態(tài)參數(shù)測試解決方案還支持交互式手動操作或結合探針臺的自動操作，能夠在整個表征過程中實現(xiàn)高效和可重復的器件表征。同時，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。從pA級、mV級高精度源表到kA級、10kV源表，普賽斯的產(chǎn)品解決了國內(nèi)企業(yè)在半導體芯片以及第三代半導體芯片測試中的儀表國產(chǎn)化問題，并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測試示范線，引領了國內(nèi)IGBT測試的技術潮流。
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