半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
 |
人氣：159 發(fā)布時間：2025-05-09 13:33 關(guān)鍵詞：分立器件靜態(tài)測試 靜態(tài)參數(shù)測試 靜態(tài)測試系統(tǒng) 產(chǎn)品型號：PMST-3500V/2000A 應用領(lǐng)域：電磁輻射 產(chǎn)品價格：1000 想了解更多產(chǎn)品詳情，請 |
半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，普賽斯半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢一八一四零六六三四七六
系統(tǒng)特點和優(yōu)勢：
單臺Z大3500V輸出；
單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；
15us的超快電流上升沿；
同步測量；
國標全指標的自動化測試；
系統(tǒng)指標
|
項目 |
參數(shù) |
|
|
集電極-發(fā)射極 |
Z大電壓. |
3500V |
|
Z大電流 |
6000A |
|
|
精度 |
0.10% |
|
|
大電壓上升沿 |
典型值5ms |
|
|
大電流上升沿 |
典型值15us |
|
|
大電流脈寬 |
50us~500us |
|
|
漏電流測試量程 |
1nA~100mA |
|
|
柵極-發(fā)射極 |
Z大電壓 |
300V |
|
Z大電流 |
1A(直流)/10A(脈沖) |
|
|
精度 |
0.05% |
|
|
Z小電壓分辨率 |
30uV |
|
|
Z小電流分辨率 |
10pA |
|
|
電容測試 |
典型精度 |
0.5% |
|
頻率范圍 |
10Hz~1MHz |
|
|
電容值范圍 |
0.01pF~9.9999F |
|
|
溫控 |
范圍 |
25℃~150℃ |
|
精度 |
±1℃ |
|
測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
普賽斯半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。
選擇普賽斯儀表的理由
武漢普賽斯是國內(nèi)最早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)已經(jīng)過了市場的考驗、市面有近500臺源表在使用；
普賽斯儀表特色：高電流、高電壓測試，3500V電壓下可測量pA級漏電流，1000A脈沖電流源15us的超快上升沿。
